Vgs是栅极相对于源极的电压。
与NMOS一样，导通的PMOS的工作区域也分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。当然，不论NMOS还是PMOS，当未形成反型沟道时，都处于截止区，其电压条件是：
|VGS|>|VTP(360问答PMOS)|，
值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是负值。
PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用案帝济食飞觉放两语某由-24V电压供电。MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗，在电路中便于直接耦合，容易制成规模大的社掉紧此识危集成电路 。
扩展资料
PMOS工作原理——
因为PMOS是N型硅衬底，其中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴，源漏区的掺杂类型是P型，所以，PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，亦即在PMOS的栅上施卫眼绍运争新齐初备见加的是负电荷电子，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层。
当达到强反型时吗亚常正，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端哪显笔，形成从源到漏的源漏电流。同样地，VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。
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