问题补充说明：向左转|向右转向左转|向右转（1）向左转|向右转（2）如图（1）所示：PMOS管的正确接法是从S 极输入，D极输出；而从D极输入，S极输出，则会失去开关作用； 图（2）所示：PMOS管起隔离作用，A可以到达B，B不能到达A , 此时就出现了从D极输入，S极输出，即图（1）中所说 ----已经失去了开关作用。问题1：既然PMOS管从D极输入，S极输出，已经失去了开关作用，那么PMOS管还会像图（2）中所说的那样，给G极加一个适当的电压，饱和导通吗？（这样图2和图1不就矛盾了吗!）问题2：有些资料原理图中也有出现，运用 PMOS管是从D极到S极实现导通，电流是从D极到S极（也和图1中所说的原理相矛盾），这让我很疑惑。请大师帮忙耐心解释一下PMOS的运用原理！谢谢!
PMOS管应用原理
PMOS的工作原理与NMOS相类似。因为PMOS是N型硅衬底，其中的多数载流仍布含热父半去子是空穴，少数载流子是电首帮目攻相听好李法移评子，源漏区的掺杂类型是P型，所以，PMOS的工作条件是在栅上相对于府带看坚谁源极施加负电压，亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层，不考虑二氧化硅中存在的电荷的影响，衬底中感应的密均氧正电荷数量就等于PMOS栅上的360问答负电荷的数量。当达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟志道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。同样地，VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电息灯你独扬娘伟拉被演设流的数值越大。
与NMOS一样，导通的PMOS的工作区域也分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。当然，不论NMOS还脚居载当春车庆血称井胞是PMOS，当未形成混过红著易反型沟道时，都处种物两诗于截止区，其电压条件是
VGS<VTN(NMOS)，
VGS>VTP(PMOS)，
值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是负值。
PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。CMOS-PMOS接口电路采用两种电源供电。采用直接接口方式，一般CMOS的电源电压选择在10～12V就能满足PMOS对输入电平的要求。
MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗，在电路中便于直接耦合，容易制成规模大的集成电路。
各种场效应管特性比较
在2004年12月的国际电子器件会议(IEDM)上表示：双应力衬垫(DSL)方法导致NMOS和PMOS中的有效驱动电流分别增加15%和32%，饱和驱动电流分别增加11%和20%。PMOS的空穴迁移率在不使用SiGe的情况下可以提高60%，这已经成为其他应变硅研究的焦点。
PMOS管
pmos PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管 全称：positivechanne与讲缩确务杆晚队解同lMetalOxideSe何际承让庆再住miconductor 别名：positiveMOS
标签：PMOS,原理,应用
