问题补充说明:说明PN结形成的工作原理。
P型、N型半导体通360问答过一定的工艺相互“接触”后,在它们的交界处会出现浓度差,电子和空穴都要从浓侵植何流陆族度高的地方向浓度低的地方扩散,即P区的空穴要向N区扩散,N区的电氢烟任要促子要向P区扩散。由于载流子的扩散运动,P区的空穴向N区扩散,并会与N区的电子复合;同理,N术促短斤均高山妒区的电子向P区扩散谈院轻严开完吧,并会与P区的空穴复许听硫合。这样在交界面P区一侧出现负否承今卫举草思变著条离子区,在N区一侧出现正离子区。正、负离子是不能移动的,称套仅曲艺为空间电荷区。从而形成了一个由N区指向P区的内建电场(用势垒电压Uψ表示)。内建电场的出现阻止P区的多数载流子空穴向N区继续扩散和N区的多数载流子电子向P区继续扩散。同时,内建电场使P区的少数载流子电子向N区漂移,也使N区的少数载流子空穴向P区漂移。当漂移运动和扩散运动处于动态平衡状态时,形成稳定的空间电荷区,即PN结形成。
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